Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.

Силовой МОП-транзистор третьего поколения IRFP250 от производителя Vishay обеспечивает лучшие сочетания быстрого переключения, прочный дизайн транзистора, низкий уровень сопротивления. Корпус TO-247 предпочтителен для коммерческого и промышленного использования, где использование приборов в корпусе ТО-220 не желательно или невозможно. в корпусе TO-247 изолированное крепежное отверстие. Транзистор предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других силовых блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в изолированном пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

Основные параметры транзистора IRFP460

• Напряжение сток-исток: 200 Вольт
• Ток сток-исток при 25°C: 30 Ампер
• Импульсный максимальный ток: 120 Ампер
• Напряжение затвор-исток: ±20 Вольт
• Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,085 Ом
• Входная ёмкость: 2800 пФ
• Задержка включения: 16 нС
• Задержка выключения: 70 нС
• Рассеиваемая мощность: 190 Ватт
• Крутизна характеристики : 12 S
• Пороговое напряжение на затворе: 2-4 Вольт
• Максимальный прямой ток внутреннего диода: 30 Ампер
• Импульсный ток внутреннего диода: 120 Ампер
• Время восстановления внутреннего диода: 360 нС
• Корпус: TO-247

Габариты IRFP250

Аналоги транзистора IRFP460: 2SK851, STW33N20, 2SK1530, BUZ350, IRFS250A, SSP45N20A, STU36NB20, STW38NB20, STW40N20.

• Цена: $ 5.99 (цена за 10 штук)

Для одного из моих будущих устройств понадобились мощные полевые транзисторы. Конечно можно было купить их в оффлайне, но стоят они у нас почти в три раза дороже чем в Китае. Так как иногда может попасться подделка, а я мог их взять на обзор, то решил попробовать и заодно проверить. Разборки не будет, но будет сборка 🙂 Для начала хочу сказать, что у меня сегодня небольшой юбилей, это мой сотый обзор, даже сам удивился. Для такого круглого числа мне не хотелось делать обзор какой то банальной и известной вещи, а хотелось сделать обзор того, что мне нравится делать, паять, собирать и т.п. 🙂 Начну обзор пожалуй с того, с чего я начинаю большую часть своих обзоров, с упаковки. И так же как всегда я спячу ее под спойлер.УпаковкаПомимо полиэтиленового пакета транзисторы были упакованы в мягкую ленту (не помню как она правильно называется). Но что меня удивило, каждый транзистор был упакован в собственный пакетик. Я заказал лот из десяти штук так как по моему ТЗ надо было 8 штук, в наличии были все 10. Основные технические характеристики из даташита Напряжение Сток-Исток — 200 Вольт Сопротивление открытого канала — 0.085 Ома Максимальный длительный ток — 30 Ампер О внешнем виде не могу сказать ничего особенного. Как по мне транзисторы как транзисторы. Хотя с учетом того, что мне они довольно сильно примелькались и я не заметил у тих ничего выделяющегося, то скорее всего все нормально 🙂 Кстати пришли транзисторы IRFP250, а не IRFP250N. На странице магазина в заголовке указаны два типа. Они немного отличаются, транзисторы с буквой N умеют немного лучшие характеристики, например сопротивление открытого канала 75мОм против 85мОм у транзистора без буквы. Но так как для моей задачи это не имело абсолютно никакого значения то я особо и не расстроился. просто надо это иметь в виду. Естественно я их протестировал. Для этого я сделал такой мини стенд, состоящий из двух регулируемых блоков питания, двух мультиметров и радиатора, на который я установил испытуемый транзистор. Один БП работал в качестве источника тока, второй источника напряжения для затвора транзистора. Испытывал я при трех напряжениях на затворе, 15, 10 и 5 Вольт. Но так как 15 и 10 практически не отличались, то на фото попали только значения при 15 и 5 Вольт. Простой расчет показывает, что сопротивление канала при 15 Вольт составляет 65мОм, а при 5 Вольт соответственно 105мОм, что на мой взгляд вполне вписывается в заявленные характеристики, и даже лучше 🙂 Эксперимент проводился при комнатной температуре. Так как обзор транзисторов, да и вообще радиоэлементов неинтересен без примера их применения, то естественно я опишу и это.Собственно зачем они мне понадобилисьНе так давно я публиковал пару обзоров, где описывал усилитель сигнала с датчика тока и маленький блок питания. Этот обзор является логическим продолжением мой эпопеи по конструированию самодельной электронной нагрузки. Я уже описывал такое устройство, но данный вариант планировался еще до него и планировался мощнее, с электронным управлением и прочими фишками. Но сами «мозги» я опишу скорее всего уже в следующем месяце, а вот про силовую часть расскажу сегодня. Мощность силового модуля я запланировал на уровне 200-300 Ватт, максимальное напряжение до 60 Вольт, ток до 15 Ампер. В устройстве используется нестандартное напряжение питания управляющей электроники в 8 Вольт. Так же напряжение сигнала управление в 0-250мВ. Это не моя прихоть, это то, что может давать блок управления, потому модуль я подстраивал под него. Изначально конструкция подразумевала один канал с максимальным током в 5 Ампер и шунтом с сопротивлением 50мОм. Но в описании устройства была возможность навесить еще пару таких же каналов и перекалибровать устройство под ток 15 Ампер. Я решил пойти немного по другому пути. Для начала я задумал не три, а восемь каналов. При этом я исходил из модульной конструкции, это упрощает построение и расчет. Задумывалось 8 каналов, при этом получалось по 2 канала на плату, по 2 платы на радиатор и 2 радиатора на устройство. Сначала приведу схему силовой части. Номиналы многих деталей можно менять в широких пределах, так же можно применять разные полевые транзисторы. У меня получалось что надо получить напряжение с шунта одного канала до 250мВ в полном диапазоне регулировки тока. Значит выходило 15/8=1.875 Ампера на канал. Соответственно номинал шунта для получения 250мВ составляет 0.25/1.875=0.133(3) Ома. Лучше когда номинал шунта чуть чуть меньше, но не больше, иначе не хватит напряжения регулировки (макс 250мВ). Я решил не заморачиваться с шунтами и просто купил сотню точных резисторов номиналом 1.33 Ома 1%. При монтаже я использовал 10 штук параллельно, 2х5шт. По схеме страссировал печатную плату, правда потом выяснилось что площадки для подключения силовых проводов немного мелковаты, лучше их увеличить. При трассировке я старался делать силовую часть максимально симметричной в месте подключения земляного проводника и измерительного шунта. После изготовил печатные платы, я сразу сделал 4 штуки на одной заготовке, описание процесса здесь. Список примененных компонентов. Резисторы: 1.33 Ома 1% — 80шт (1206) 22 Ома — 8шт (1206) 560 Ом — 4шт (0805) 6.2 КОм — 8шт (1206) 22 КОм — 8 шт (1206) 3 МОм — 8шт (0805) Конденсатор 220мкФ х 16Вольт 105 градусов. Samwha RD. Операционный усилитель LM358 — 4шт (SO-8) Регулируемый стабилитрон TL431 — 4шт (SOT23) Полевые транзисторы — IRFP250 — 8шт Платы спаяны. Как я писал, резисторы шунта смонтированы в два слоя по 5 штук в слое. С обратной стороны присутствует только электролитический конденсатор. Так как платы устанавливаются вблизи элементов с большим выделением тепла, то лучше применять конденсаторы рассчитанные на работу при температуре до 105 градусов. Так как транзисторы при работе активно выделяют тепло (сама суть электронной нагрузки это переводить все в тепло), то я приготовил пару радиаторов. Эти радиаторы у меня уже мелькали в некоторых обзорах, например в этом, теперь придется искать им замену. С радиаторов были удалены транзисторы и почти раритетные микросхемы стабилизаторов. После этого радиаторы были очищены при помощи ватки и спирта 🙂 В конце я немного укоротил их, это был один из самых сложных этапов. Радиаторы имели в высоту 88мм, а корпус имел высоту 84мм. Чтобы удобно было использовать вентиляторы размером 80мм я отрезал по 3мм с каждой стороны. Вот самое сложное и было отрезать эти 3мм в длину и постараться сделать это ровно 🙂 Длина радиаторов 100мм, высота ребра 25мм, тело 4.5мм, радиаторы черненые и имеют 9 ребер. Разметил крепежные отверстия под вентиляторы, думаю из этого фото уже понятная планируемая конструкция силового модуля. Разметил и нарезал кучу резьб. Я не стал разбираться где будет верх, где низ, а просто нарезал все симметрично, чтобы потом при сборке не задумываться об этом. Т.е. модуль можно ставить хоть вверх ногами, закрепиться получится в любом случае и крепежные отверстия будут на тех же местах. Для сверления и нарезания резьбы я давно пользуюсь небольшим шуруповертом, очень удобно. Платы подготовлены к установке. На фото понятен принцип установки. Я долго думал, ставить платы параллельно или перпендикулярно к радиатору, но решил остановиться на параллельном варианте установки как на более компактном. Радиаторы и все что будет устанавливаться на них, ну или почти все. планируются еще элементы термоконтроля и т.п… Кстати насчет термоконтроля. Так как устройство выделяет много тепла, то в целях безопасности я установил на каждый радиатор по биметаллическому размыкателю. Температура уставки 90 градусов, ток контактов 10 Ампер, но так как один размыкатель обслуживает только половину общего тока, то думаю что при 7.5 Ампера они будут работать нормально. Выводы у терморазмыкателей разные, к одному можно припаяться нормально, ко второму нет, для меня это было новостью. Но так получилось, что я случайно разместил их одинаково, потому одноименные контакты припаяны, для вторых я использовал клеммы, к которым уже припаивал провод. Будьте внимательны. Первая примерка. Еще без термопасты, просто посмотреть как оно получается вместе. При креплении транзисторов я использовал родные отверстия оставшиеся от предыдущих элементов. у меня получилось так, что каждый транзистор стоит примерно в центре своей четверти радиатора, при повторении лучше стремиться именно к такому расположению транзисторов. Для соединения я взял кучку разных проводов. попались даже какие то аудиофилские, вроде как посеребренные, но при этом мне было удобно то, что они свиты из очень большой кучи тоненьких жилок и соответственно очень мягкие и имеют при этом сечение в 2.5мм. Этот кабель я использовал для соединения земляной цепи. При соединении я использовал принцип «звезда», т.е. все земляные провода сводятся в одну точку, расположенную так, чтобы сопротивление до каждой из плат было идентичным, это позволит равномерно распределить ток между модулями. Модуль почти собран. Для разводки проводов я использовал отверстия оставшиеся от старых элементов. В качестве нагнетающего вентилятора использован вентилятор фирмы Sunon EE80251S1-A99, вентилятор подбирался исходя из небольшой цены и большой производительности. Вытяжной вентилятор фирмы Thermaltake, S0801512M, был в наличии и используется потому, что требовалась небольшая толщина. Корпус очень маленький, потому с местом проблемы. В работе планирую использовать питание до 15 Вольт, но проверял и при 20, работали нормально. Соединение земляных проводников располагается между радиаторами. Это далеко не самое лучшее решение, как и размещение каких либо проводов там вообще. Но вариантов у меня не было, в обход пускать провода было слишком далеко. Снизу или сверху нереально вообще. Буду рад предложениям по улучшению конструкции. Верхняя и нижняя щель между радиаторами будет конечно закрыта, опять же, еще не решил чем, думаю пока просто заклеить парой слове скотча. Силовой модуль собран, спаян, осталось только проверить 🙂 На всякий случай (вдруг кто то решится повторить) более детальное фото. Ну и как же без проверки 🙂 В эксперименте я настроил нагрузку на ток в 5 Ампер и подал 40 Вольт (на самом деле 41). Рассеиваемая мощность составила 204 Ватта. Больше давать пока не стал так как в эксперименте работал всего один вентилятор (тот что виден на фото, кажется что он стоит), который был включен от 8 Вольт и не были закрыты щели между радиаторами. Управляющее напряжение я подавал с переменного резистора. Получилось по 25 Ватт на каждый из транзисторов. Кстати, пускай вас не вводит в заблуждение указанная в даташите максимальная рассеиваемая мощность транзисторов. В линейном режиме лучше стараться не превышать 25-30% от заявленной так как может начаться выход из строя ячеек кристалла транзистора (полевые транзисторы как бы набраны из большого количества мелких). Я считаю что данный этап проекта закончился успешно, планирую в ближайшем времени продолжить или вернее полностью закончить данное устройство. Описание этого процесса будет в одном из обзоров следующего месяца. Резюме.Плюсы Транзисторы полностью работоспособны. Сопротивление открытого канала даже меньше чем в даташите Заявленная в магазине цене довольно неплохая.Минусы Пока не обнаружены Я не смог полноценно проверить максимальное напряжение, производитель заявляет 200 Вольт, я смог набрать дома только 160, пробоя не было, так что думаю в этом плане так же все нормально. По хорошему неплохо было бы раскрыть и посмотреть размеры кристалла, но как то совсем жалко ломать рабочие компоненты. Надеюсь что обзор был интересен, как всегда жду комментариев, предложений и советов 🙂 И да, как всегда, материалы для скачивания. Товар предоставлен для написания обзора магазином. Обзор опубликован в соответствии с п.18 Правил сайта. $5.99Перейти в магазин Для одного из моих будущих устройств понадобились мощные полевые транзисторы.Конечно можно было купить их в оффлайне, но стоят они у нас почти в три раза дороже чем в Китае.Так как иногда может попасться подделка, а я мог их взять на обзор, то решил попробовать и заодно проверить.Разборки не будет, но будет сборка :)Для начала хочу сказать, что у меня сегодня небольшой юбилей, это мой сотый обзор, даже сам удивился. Для такого круглого числа мне не хотелось делать обзор какой то банальной и известной вещи, а хотелось сделать обзор того, что мне нравится делать, паять, собирать и т.п. :)Начну обзор пожалуй с того, с чего я начинаю большую часть своих обзоров, с упаковки.И так же как всегда я спячу ее под спойлер. УпаковкаПомимо полиэтиленового пакета транзисторы были упакованы в мягкую ленту (не помню как она правильно называется).Но что меня удивило, каждый транзистор был упакован в собственный пакетик.Я заказал лот из десяти штук так как по моему ТЗ надо было 8 штук, в наличии были все 10.Основные технические характеристики из даташитаНапряжение Сток-Исток — 200 ВольтСопротивление открытого канала — 0.085 ОмаМаксимальный длительный ток — 30 АмперО внешнем виде не могу сказать ничего особенного. Как по мне транзисторы как транзисторы.Хотя с учетом того, что мне они довольно сильно примелькались и я не заметил у тих ничего выделяющегося, то скорее всего все нормально :)Кстати пришли транзисторы IRFP250, а не IRFP250N. На странице магазина в заголовке указаны два типа. Они немного отличаются, транзисторы с буквой N умеют немного лучшие характеристики, например сопротивление открытого канала 75мОм против 85мОм у транзистора без буквы. Но так как для моей задачи это не имело абсолютно никакого значения то я особо и не расстроился. просто надо это иметь в виду.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Естественно я их протестировал. Для этого я сделал такой мини стенд, состоящий из двух регулируемых блоков питания, двух мультиметров и радиатора, на который я установил испытуемый транзистор. Один БП работал в качестве источника тока, второй источника напряжения для затвора транзистора.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Испытывал я при трех напряжениях на затворе, 15, 10 и 5 Вольт.Но так как 15 и 10 практически не отличались, то на фото попали только значения при 15 и 5 Вольт.Простой расчет показывает, что сопротивление канала при 15 Вольт составляет 65мОм, а при 5 Вольт соответственно 105мОм, что на мой взгляд вполне вписывается в заявленные характеристики, и даже лучше 🙂 Эксперимент проводился при комнатной температуре.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Так как обзор транзисторов, да и вообще радиоэлементов неинтересен без примера их применения, то естественно я опишу и это. Собственно зачем они мне понадобилисьНе так давно я публиковал пару обзоров, где описывал усилитель сигнала с датчика тока и маленький блок питания.Этот обзор является логическим продолжением мой эпопеи по конструированию самодельной электронной нагрузки. Я уже описывал такое устройство, но данный вариант планировался еще до него и планировался мощнее, с электронным управлением и прочими фишками. Но сами «мозги» я опишу скорее всего уже в следующем месяце, а вот про силовую часть расскажу сегодня.Мощность силового модуля я запланировал на уровне 200-300 Ватт, максимальное напряжение до 60 Вольт, ток до 15 Ампер.В устройстве используется нестандартное напряжение питания управляющей электроники в 8 Вольт. Так же напряжение сигнала управление в 0-250мВ. Это не моя прихоть, это то, что может давать блок управления, потому модуль я подстраивал под него.Изначально конструкция подразумевала один канал с максимальным током в 5 Ампер и шунтом с сопротивлением 50мОм. Но в описании устройства была возможность навесить еще пару таких же каналов и перекалибровать устройство под ток 15 Ампер.Я решил пойти немного по другому пути. Для начала я задумал не три, а восемь каналов.При этом я исходил из модульной конструкции, это упрощает построение и расчет.Задумывалось 8 каналов, при этом получалось по 2 канала на плату, по 2 платы на радиатор и 2 радиатора на устройство.Сначала приведу схему силовой части.Номиналы многих деталей можно менять в широких пределах, так же можно применять разные полевые транзисторы.У меня получалось что надо получить напряжение с шунта одного канала до 250мВ в полном диапазоне регулировки тока.Значит выходило 15/8=1.875 Ампера на канал. Соответственно номинал шунта для получения 250мВ составляет 0.25/1.875=0.133(3) Ома. Лучше когда номинал шунта чуть чуть меньше, но не больше, иначе не хватит напряжения регулировки (макс 250мВ).Я решил не заморачиваться с шунтами и просто купил сотню точных резисторов номиналом 1.33 Ома 1%. При монтаже я использовал 10 штук параллельно, 2х5шт.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.По схеме страссировал печатную плату, правда потом выяснилось что площадки для подключения силовых проводов немного мелковаты, лучше их увеличить. При трассировке я старался делать силовую часть максимально симметричной в месте подключения земляного проводника и измерительного шунта.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.После изготовил печатные платы, я сразу сделал 4 штуки на одной заготовке, описание процесса здесь.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Список примененных компонентов.Резисторы:1.33 Ома 1% — 80шт (1206)22 Ома — 8шт (1206)560 Ом — 4шт (0805)6.2 КОм — 8шт (1206)22 КОм — 8 шт (1206)3 МОм — 8шт (0805)Конденсатор 220мкФ х 16Вольт 105 градусов. Samwha RD.Операционный усилитель LM358 — 4шт (SO-8)Регулируемый стабилитрон TL431 — 4шт (SOT23)Полевые транзисторы — IRFP250 — 8штПолевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Платы спаяны. Как я писал, резисторы шунта смонтированы в два слоя по 5 штук в слое.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.С обратной стороны присутствует только электролитический конденсатор. Так как платы устанавливаются вблизи элементов с большим выделением тепла, то лучше применять конденсаторы рассчитанные на работу при температуре до 105 градусов.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Так как транзисторы при работе активно выделяют тепло (сама суть электронной нагрузки это переводить все в тепло), то я приготовил пару радиаторов. Эти радиаторы у меня уже мелькали в некоторых обзорах, например в этом, теперь придется искать им замену.С радиаторов были удалены транзисторы и почти раритетные микросхемы стабилизаторов.После этого радиаторы были очищены при помощи ватки и спирта :)В конце я немного укоротил их, это был один из самых сложных этапов. Радиаторы имели в высоту 88мм, а корпус имел высоту 84мм. Чтобы удобно было использовать вентиляторы размером 80мм я отрезал по 3мм с каждой стороны. Вот самое сложное и было отрезать эти 3мм в длину и постараться сделать это ровно :)Длина радиаторов 100мм, высота ребра 25мм, тело 4.5мм, радиаторы черненые и имеют 9 ребер.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Разметил крепежные отверстия под вентиляторы, думаю из этого фото уже понятная планируемая конструкция силового модуля.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Разметил и нарезал кучу резьб. Я не стал разбираться где будет верх, где низ, а просто нарезал все симметрично, чтобы потом при сборке не задумываться об этом. Т.е. модуль можно ставить хоть вверх ногами, закрепиться получится в любом случае и крепежные отверстия будут на тех же местах. Для сверления и нарезания резьбы я давно пользуюсь небольшим шуруповертом, очень удобно.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Платы подготовлены к установке. На фото понятен принцип установки. Я долго думал, ставить платы параллельно или перпендикулярно к радиатору, но решил остановиться на параллельном варианте установки как на более компактном.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Радиаторы и все что будет устанавливаться на них, ну или почти все. планируются еще элементы термоконтроля и т.п…Кстати насчет термоконтроля. Так как устройство выделяет много тепла, то в целях безопасности я установил на каждый радиатор по биметаллическому размыкателю. Температура уставки 90 градусов, ток контактов 10 Ампер, но так как один размыкатель обслуживает только половину общего тока, то думаю что при 7.5 Ампера они будут работать нормально.Выводы у терморазмыкателей разные, к одному можно припаяться нормально, ко второму нет, для меня это было новостью. Но так получилось, что я случайно разместил их одинаково, потому одноименные контакты припаяны, для вторых я использовал клеммы, к которым уже припаивал провод. Будьте внимательны.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Первая примерка. Еще без термопасты, просто посмотреть как оно получается вместе.При креплении транзисторов я использовал родные отверстия оставшиеся от предыдущих элементов. у меня получилось так, что каждый транзистор стоит примерно в центре своей четверти радиатора, при повторении лучше стремиться именно к такому расположению транзисторов.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Для соединения я взял кучку разных проводов. попались даже какие то аудиофилские, вроде как посеребренные, но при этом мне было удобно то, что они свиты из очень большой кучи тоненьких жилок и соответственно очень мягкие и имеют при этом сечение в 2.5мм.Этот кабель я использовал для соединения земляной цепи.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.При соединении я использовал принцип «звезда», т.е. все земляные провода сводятся в одну точку, расположенную так, чтобы сопротивление до каждой из плат было идентичным, это позволит равномерно распределить ток между модулями.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Модуль почти собран. Для разводки проводов я использовал отверстия оставшиеся от старых элементов.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.В качестве нагнетающего вентилятора использован вентилятор фирмы Sunon EE80251S1-A99, вентилятор подбирался исходя из небольшой цены и большой производительности.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Вытяжной вентилятор фирмы Thermaltake, S0801512M, был в наличии и используется потому, что требовалась небольшая толщина. Корпус очень маленький, потому с местом проблемы.В работе планирую использовать питание до 15 Вольт, но проверял и при 20, работали нормально.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Соединение земляных проводников располагается между радиаторами. Это далеко не самое лучшее решение, как и размещение каких либо проводов там вообще. Но вариантов у меня не было, в обход пускать провода было слишком далеко. Снизу или сверху нереально вообще. Буду рад предложениям по улучшению конструкции.Верхняя и нижняя щель между радиаторами будет конечно закрыта, опять же, еще не решил чем, думаю пока просто заклеить парой слове скотча.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Силовой модуль собран, спаян, осталось только проверить 🙂Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.На всякий случай (вдруг кто то решится повторить) более детальное фото.Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Ну и как же без проверки :)В эксперименте я настроил нагрузку на ток в 5 Ампер и подал 40 Вольт (на самом деле 41). Рассеиваемая мощность составила 204 Ватта. Больше давать пока не стал так как в эксперименте работал всего один вентилятор (тот что виден на фото, кажется что он стоит), который был включен от 8 Вольт и не были закрыты щели между радиаторами.Управляющее напряжение я подавал с переменного резистора.Получилось по 25 Ватт на каждый из транзисторов. Кстати, пускай вас не вводит в заблуждение указанная в даташите максимальная рассеиваемая мощность транзисторов. В линейном режиме лучше стараться не превышать 25-30% от заявленной так как может начаться выход из строя ячеек кристалла транзистора (полевые транзисторы как бы набраны из большого количества мелких).Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.Я считаю что данный этап проекта закончился успешно, планирую в ближайшем времени продолжить или вернее полностью закончить данное устройство. Описание этого процесса будет в одном из обзоров следующего месяца.Резюме.ПлюсыТранзисторы полностью работоспособны.Сопротивление открытого канала даже меньше чем в даташитеЗаявленная в магазине цене довольно неплохая.МинусыПока не обнаруженыЯ не смог полноценно проверить максимальное напряжение, производитель заявляет 200 Вольт, я смог набрать дома только 160, пробоя не было, так что думаю в этом плане так же все нормально.По хорошему неплохо было бы раскрыть и посмотреть размеры кристалла, но как то совсем жалко ломать рабочие компоненты.Надеюсь что обзор был интересен, как всегда жду комментариев, предложений и советов :)И да, как всегда, материалы для скачивания.Товар предоставлен для написания обзора магазином. $5.99Перейти в магазинЭту страницу нашли, когда искали: транзистор ирфп250, transmitter irfp250, полевик irfp250, irfp250 пара, irfp250 зарядное устройство, irfp250t2, характеристики и аналоги irfp250, irfp250 чем заменить в блоке питания, схема проверки irfp250, транзистор 1rfp 250 замена, дата шит ирфп 250, радиаторы для мощных полевых транзисторов, бп на полевом транзисторе irfp250, видеообзор транзистора с 5ю ножками, где эмиттер у irfp250n, irfp250n применение, чем заменить транзистор irfp250, замена транзистора irfp250, транзистор irfp250 максимальное рабочее напряжение, применение транзисторов мосфет irfp250 в линейном режиме, регулировка тока на irfp250n, замена irfp250 маркировка, irfp250n частота применения, ytfp250 характеристики, вольт амперная характеристика транзистора irfp250

Вас может заинтересовать

Товары по сниженной стоимости

Комментарии: 10

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.Используемые источники:

• https://www.tool-electric.ru/p/blog-page_7.html
• https://mysku.ru/blog/china-stores/32720.html
• https://www.kirich.blog/obzory/100-polevye-tranzistory-irfp250-obzor-i-nemnogo-o-primenenii.html