Обзор твердотельного накопителя Samsung 850 EVO 500 ГБ

Компьютеры11 марта 2016, 08:0010/10Оценка по версии FerraХорошо иметь свое производство. А иметь хорошее производство — еще лучше. В Samsung приложили немало усилий, чтобы стать лидером по выпуску всевозможной памяти. На сегодняшний день приличное количество передовых разработок принадлежит именно южнокорейскому производителю. Поэтому изучать новинки Samsung вдвойне интересно. Они как лакмусовая бумажка всего того, что происходит в индустрии. В этот раз знакомимся с накопителями серии 850 EVO — доступными, но быстрыми SSD.

Не так давно на нашем сайте вышел обзор накопителя 950 PRO — это самое быстрое запоминающее устройство на потребительском рынке в 2016 году. Второй в табели о рангах идет линейка 850 PRO с интерфейсом SATA 3.0. И снова южнокорейской компании принадлежит самый быстрый накопитель в своем классе. Серия 850 EVO, — а мы познакомимся сразу с двумя моделями различных форм-факторов — предлагает высокое быстродействие вкупе с небольшой ценой. Такого привлекательного во всех отношениях симбиоза удалось достичь путем перевода TLC-памяти в трехмерное пространство. Технология получила название 3D V-NAND. А еще серьезно увеличилась надежность накопителей.

Samsung 850 EVO

Технические характеристики и особенности конструкции

«Эксперименты» с трехбитной памятью TLC на покупателях южнокорейский производитель начал еще в 2013 году. Прошлое поколение — 840 EVO — я считаю удачным, хотя о надежности этих SSD ходило много споров, ведь количество циклов перезаписи ячеек у TLC меньше, чем у MLC/SLC. По скоростным характеристикам такой тип памяти тоже уступает, так как для хранения трех бит информации задействуется восемь уровней напряжения, на снятие которых требуется больше времени. У MLC — вдвое меньше. При этом увеличивается износ ячейки. С внедрением новых технологических норм проблема лишь усугубляется, так как уменьшение размера ячейки (утоньшение слоя диэлектрика) приводит к утечке заряда с плавающего затвора.

Применение трехмерной структуры 3D V-NAND решает обе проблемы. Во-первых, послойная упаковка TLC занимает меньше места, чем, например, планарная MLC. Итог: нет смысла гнаться за уменьшением техпроцесса. Память в линейках 850 PRO и 850 EVO произведена по 40-нанометровым «доисторическим» нормам, что серьезно увеличивает ее надежность. В Samsung заявляют, что вероятность возникновения ошибок при считывании данных с TLC V-NAND в 10 раз ниже, чем у «обыкновенной» планарной TLC. Слова подкрепляются делом: на все накопители серии 850 EVO распространяется 5-летняя гарантия. Конкуренты предлагают в основном 3 года.

Во-вторых, в TLC V-NAND сокращено количество импульсов, подаваемых на управляющих затвор ячеек. Увеличена производительность. В итоге линейка 850 EVO несильно уступает 850 PRO в плане быстродействия. При этом накопители разного объема имеют приблизительно одинаковую производительность. Серьезного перекоса (согласно характеристикам) между моделями не наблюдается.

В обзор попали сразу два SSD с одинаковым объемом 500 Гбайт. Накопители с интерфейсами SATA 3.0 и M.2 обладают схожими техническими характеристиками. Конечно же, везде используется 40-нанометровая память TLC V-NAND с емкостью кристаллов 128 Гбит. Серия 850 EVO с интерфейсом SATA 3.0 насчитывает четыре модели. Устройство объемом 1 Тбайт несколько выделяется из «толпы», так как базируется на более производительном контроллере MEX. Этот же процессор используется в «твердотельниках» 850 PRO. Накопителей с интерфейсом M.2 всего три. Во всех случаях используется печатная плата формата 2280 с двумя ключами типа «B» и «М».

Samsung 850 EVO
Интерфейс	SATA 3.0	M.2
Маркировка модели	MZ-75E120BW	MZ-75E250BW	MZ-75E500BW	MZ-75E1T0BW	MZ-N5E120BW	MZ-N5E250BW	MZ-N5E500BW
Объем	120 Гбайт	250 Гбайт	500 Гбайт	1 Тбайт	120 Гбайт	250 Гбайт	500 Гбайт
Память	Samsung, 40 нм, TLC V-NAND, 128 Гбит, 32 слоя
Контроллер	Samsung MGX	Samsung MEX	Samsung MGX
Буферная память	256 Мбайт LPDDR2-1066	512 Мбайт LPDDR2-1066	1024 Мбайт LPDDR2-1066	512 Мбайт LPDDR3
Максимальная скорость последовательного чтения/записи	540/520 Мбайт/с	540/500 Мбайт/с
Максимальная скорость произвольных чтения/записи	94 000/88 000 IOPS	97 000/88 000 IOPS	98 000/90 000 IOPS	97 000/89 000 IOPS
Ресурс записи	75 Тбайт	150 Тбайт	75 Тбайт	150 Тбайт
Гарантия	5 лет
Цена	4600 руб.	8100 руб.	12 400 руб.	24 500 руб.	4800 руб.	7000 руб.	12 500 руб.
Купить

Есть в линейке 850 EVO и серия под разъем mSATA. Старенький, бесперспективный стандарт, который используется в крошечных компьютерах (например, Intel NUC), ноутбуках и некоторых материнских платах. В современных решениях я его давно не встречал. И все же наличие в продаже этой серии — отличный способ омолодить свою машину.

Характерная черта линейки 850 EVO: отсутствие у накопителей какой-либо сопутствующей комплектации. В картонной коробке, помимо устройства, покоится только краткое руководство пользователя.

Упаковка твердотельных накопителей Samsung 850 EVO

Толщина корпуса всех SATA-накопителей серии 850 EVO составляет 7 мм. Следовательно, устройство подойдет для большинства ноутбуков. Внутри — двухъядерный контроллер MGX и чипы памяти. Основные — четыре 128-гигабайтные микросхемы TLC V-NAND. Каждый такой чип содержит восемь 16-гигабайтных кристаллов, выращенных по 40-нанометровому техпроцессу. Дополнительная микросхема — буферная DDR. Модель 850 EVO MZ-75E500 объемом 500 Гбайт оснащена 512 Мбайт LPDDR2-1066.

Кстати, нетипичный объем — 120 Гбайт, 250 Гбайт, 500 Гбайт — характеризуется, во-первых, поддержкой технологии TurboWrite. А именно часть ячеек TLC (~3,5%) играет роль SLC-буфера. Во-вторых, незадействованная память предназначена для сбора мусора и выравнивания износа. Все 850 EVO поддерживают функцию TRIM. Самостоятельная сборка мусора не производится. В 2016 году такой алгоритм работы нельзя считать недостатком.

Samsung 850 EVO MZ-75E500

Накопители с интерфейсами M.2 и mSATA появились позже SATA-серии. Они имеют иную техническую компоновку. У модели MZ-N5E500 всего две микросхемы TLC V-NAND. Каждая объемом 256 Гбайт. К тому же вместо LPDDR2 в качестве буфера используется LPDDR3. На обратной стороне печатной платы есть посадочные места под распайку еще двух микросхем TLC V-NAND. Возможно, в обозримом будущем появится терабайтная модель.

Все накопители серии 850 EVO поддерживают шифрование AES-256, а также стандарты TCG Opal 2.0 и IEEE-1667.

Samsung 850 EVO MZ-N5E500

Тестирование

Тестовый стенд:

• Процессор: Intel Core i7-4790K
• Процессорный кулер: ENERMAX LIQTECH 240
• Материнская плата: MSI Z97 MPOWER
• Оперативная память: DDR3-2133, 2x 8 Гбайт
• Накопитель: Samsung 850 EVO
• Блок питания: Corsair HX850i, 850 Вт
• Периферия: Samsung U28D590D, ROCCAT ARVO, ROCCAT SAVU
• Операционная система: Windows 8.1 х64

Перейдем к тестированию. Так как все познается в сравнении, то определить уровень производительности серии 850 EVO нам поможет старшая линейка — 850 PRO, а также SSD Blast от Patriot, базирующийся на довольно распространенном контроллере Phison PS3110-S10 и планарной памяти TLC.

Согласно официальным техническим характеристикам, M.2-модель 850 EVO 500 Гбайт чуть уступает SATA-накопителю в скорости последовательной записи. На практике мы видим, что оба SSD демонстрируют идентичную производительность. По крайней мере, в бенчмарке ATTO. Быстродействие накопителей соответствует заявленным производителем показателям.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в ATTO (линейное чтение)

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в ATTO (линейная запись)

Серия 850 EVO закономерно уступает более дорогой линейке 850 PRO, что логично. Особенно заметна разница в операции чтения. Здесь она достигает 7%.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (линейные чтение/запись)

Если в последовательных операциях чтения/записи Patriot Blast оказался быстрее накопителей Samsung (даже 850 PRO), то в заведомо сложных случайных операциях 4-килобайтными блоками Phison PS3110-S10 откровенно сдулся. Особенно в IOMeter. Что же до линейки 850 EVO, то в CrystalDiskMark она практически не уступает более дорогой 850 PRO.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (случайные чтение/запись)

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в CrystalDiskMark (случайные чтение/запись)

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в CrystalDiskMark (случайные чтение/запись)

Смешанная нагрузка предъявляет серьезные требования к контроллеру любого SSD. Здесь мы видим небольшое преимущество процессора MEX над MGX. Phison PS3110-S10 вновь оказался позади.

Практически во всех тестах разницы между SATA- и M.2-накопителями нет.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (смешанная нагрузка)

Перейдем от синтетики к имитации реальных задач. В PCMark 7 накопители 850 EVO уступили 850 PRO приблизительно на 1000 баллов или 14%. Patriot Blast отстал от остальных SSD на 38% и 60% соответственно.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в PCMark 7 (общий счет)

В целом между моделями MZ-75E500 и MZ-N5E500 опять равенство, хотя PCMark 7 отдает небольшое преимущество .

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в PCMark 7 (паттерны)

В паттернах IOMeter, имитирующих работу рабочих станций и серверов, накопители 850 EVO оказались быстрее 850 PRO. «Прошка» серьезно отстала. Не новость, ведь схожие результаты в свое время продемонстрировала и 128-гигабайтная модель.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (паттерны)

Технология TurboWrite в 500-гигабайтных накопителях никак не влияет на производительность рассмотренных сегодня устройств. Наличие псевдокэша SLC пригодится младшим моделям. Оба SSD ведут себя вполне стабильно на протяжении всего времени, пока им не требуется TRIM. Серьезных перепадов в линейных операциях чтения/записи нет, накопители не перегреваются.

<svg><title>Arrows-left</title></svg><svg><title>Arrows-right</title></svg>

<svg><title>Reload</title></svg>1 / 2

Линейные чтение/запись Samsung 850 EVO MZ-75E500

<svg><title>Arrows-left</title></svg><svg><title>Arrows-right</title></svg>

<svg><title>Reload</title></svg>1 / 2

Линейные чтение/запись Samsung 850 EVO MZ-N5E500

Конкуренты и аналоги

Про конкурентов серии 850 EVO я уже сказал. Это бесчисленное полчище накопителей на контроллере Phison PS3110-S10 и планарной памяти TLC. Как показало тестирование, у них нет никаких шансов, ибо производительность заметно ниже, а цены сопоставимы с теми, что предлагает Samsung. Вот и главный плюс закрытой бизнес-модели (собственного производства): ты диктуешь условия конкурентам, а не идешь у них на поводу.

Конкуренты Samsung 850 EVO

В заключение

Удачная покупка

В 2015 году Samsung принадлежало больше 40% рынка твердотельных накопителей. Данный статистический факт наглядно доказывает эффективность закрытой модели ведения бизнеса южнокорейской компании в этом сегменте рынка. А именно для достижения тотального превосходства над конкурентами необходимо самому производить большую часть элементов твердотельного накопителя. Недавно корейцы выпустили линейки 650 и 750 EVO, а это значит, что рыночная доля Samsung в потребительском секторе в 2016 году только увеличится. Монополия? Возможно. Однако придраться к рассмотренным сегодня 500-гигабайтным EVO-моделям практически нереально. В плане производительности они несильно уступают более дорогой линейке 850 PRO. Умеют корейцы делать SSD. Убеждаюсь в этом который раз. Конкуренты за ту же цену предлагают решения с меньшей производительностью и меньшей гарантией.

Накопители форматов SATA и M.2 продемонстрировали одинаковые результаты. Выбирайте устройство в зависимости от того, какой интерфейс предпочтительнее. Модели MZ-75E500 и MZ-N5E500 получают награду «Удачная покупка».

Samsung 850 EVO
Плюсы:	Минусы:
Высокая производительность;	Не обнаружено.
5-летняя гарантия;
Три вида интерфейсов;
Низкая стоимость.
5-летняя гарантия;
Три вида интерфейсов;
Низкая стоимость.

10/10Оценка по версии FerraСамое читаемое

Твердотельные накопители серии Samsung 850 EVO были представлены еще в конце 2014 года. Несмотря на почтенный, по меркам компонентов такого плана возраст, SSD данной серии все еще остаются на первых позициях в рейтинге популярности накопителей на hotline.ua. Оправдан ли повышенный интерес к устройствам данной линейки мы попробуем выяснить, познакомившись поближе с 500-гигабайтовой версией Samsung 850 EVO.

SSD накопителина от 1 919 грн Предложений: 4

Samsung 850 EVO

История накопителей линейки Samsung 850 EVO началась еще в 2014 году. Тогда впервые для SSD начали использоваться многослойные микросхемы флеш-памяти 3D V-NAND c трехбитовыми ячейками TLC. Изначально для накопителей применялась память 3D V-NAND TLC второго поколения. Эти чипы состояли из 32 слоев и производились по нормам 40 нм. В середине 2016 года Samsung начала использовать для моделей серии 850 EVO новые 3D-чипы уже третьего поколения с 48-слойной архитектурой и увеличенной плотностью компоновки. При этом название не только серии, но даже моделей не изменились.

Использование других чипов теоретически могло бы повлиять на производительность и надежность накопителей, однако производителю удалось сохранить заявленные показатели на прежнем уровне. Проведенные после обновления тестирования показали, что производительность Samsung 850 EVO первой волны и моделей с 3D V-NAND TLC третьего поколения практически идентична, а уменьшение техпроцесса изготовления чипов не сказалась на количестве доступных циклов перезаписи. По этой причине нет никакого смысла выискивать ранние модификации, доступные в продаже Samsung 850 EVO второй ревизии ни в чем не уступают предшественникам, разве что немного экономичнее.

На момент анонса линейка Samsung 850 EVO включала накопители объемом 120 ГБ, 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. Со временем были также представлены модели емкостью 2 ТБ и 4 ТБ.

Для моделей 120–500 ГБ используется двухъядерный контроллер Samsung MGX, тогда как для старших версий емкостью 1–4 ТБ применяется еще более скоростной трехъядерный чип Samsung MHX. Накопители также оснащаются кеш-буферами, емкость которых также зависит от объема SSD. 120-гигабайтовая версия имеет 256 МБ, накопители на 250 ГБ и 500 ГБ получили 512 МБ, тогда как версия на 1 ТБ оснащена кеш-буфером на 1 ГБ, 2 ТБ – 2 ГБ, а 4 ТБ – целых 4 ГБ. Во всех случаях используется память стандарта LPDDR3.

Samsung 850 EVO 500 ГБ (MZ-75E500B)

Накопитель предлагается в картонной коробке средних габаритов. SSD внутри закреплен в дополнительной пластиковой оболочке, защищающей устройство во время транспортировки.

В комплекте имеется гарантийный талон, инструкция по быстрой установке и диск с цифровой версией руководства, а также сервисными приложениями.

Накопитель имеет металлический корпус толщиной 7 мм. На лицевой панели нанесено лишь наименование производителя, тип устройства, а также небольшой стрелкой отмечена сторона с интерфейсным разъемом.

Тыльную панель устройства прикрывает крупная наклейка, на которой указаны название модели, объем, серийный номер и базовые требования к источнику питания.

Для подключения SSD предусмотрены стандартные SATA-коннекторы.

Что касается скоростных характеристик, то для Samsung 850 EVO заявлены линейные скорости чтения/записи на уровне 540/520 МБ/c. Производительность при работе с 4К-блоками минимально отличается в зависимости от объема. Для накопителя на 500 ГБ это 98 000 IOPS на операциях чтения (4К, QD32) и 90 000 IOPS при записи. Для ситуаций с глубиной очереди запросов QD1, накопитель должен обеспечивать на операциях чтения до 10 000 IOPS, записи – до 40 000 IOPS.

Накопители конечно поддерживают S.M.A.R.T., TRIM и алгоритм Garbage Collection. Кроме того, на Samsung 850 EVO реализована поддержка режима Device Sleep для снижения потребления в простое и аппаратное шифрование AES 256-бит, а также TCG/Opal 2.0 и IEEE-1667.

Время наработки на отказ (MTBF) составляет 1,5 млн. часов. При этом гарантированный объем записанных данных (TBW, Total Bytes Written) для накопителя объемом 500 ГБ составляет 150 ТБ. Срок гарантии – 5 лет. Учитывая значение TBW, несложно вычислить, что ежедневный условный лимит записи в течение гарантированного рабочего периода составляет порядка 84 ГБ. Обратим внимание на то, что в данном случае речь идет не о надежности накопителя, а гарантийных условиях производителя. Это 5 лет или 150 ТБ записи, в зависимости от того, что наступит раньше.

TBW лишь косвенно говорит о фактических возможностях накопителей. Как показывают ресурсные тесты, возможное количество записанных данных может на порядок превосходить гарантированный объем. Однако, TBW все же стоит учитывать, если вы рассчитываете на гарантию производителя.

После форматирования доступная емкость накопителя составляет 466 ГБ. При выборе накопителя определенной емкости важно не забывать о сопутствующих потерях при переводе миллиардов доступных байтов в гигабайты.

Производитель предлагает утилиту Samsung Data Migration для переноса системного раздела с текущего накопителя на новый SSD.

Для управления и сервисного обслуживания предлагается фирменное приложение Samsung Magician. Здесь можно оценить фактическое количество записанных данных, просмотреть состояние S.M.A.R.T., провести полную очистку накопителя и даже оценить производительность SSD.

Производительность

Исследовать скоростные возможности MZ-75E500B мы начали с предлагаемого производителем приложения.

Согласно внутреннему тесту Samsung Magician, линейная скорость чтения накопителя может составлять почти 550 МБ/c, записи – 530 МБ/c. При этом производительность при произвольном доступе на операциях чтения оказалась очень близка к заявленным показателям – 97 300 IOPS для чтения и 88 200 IOPS для записи.

Приложение ATTO демонстрирует схожие пиковые показатели.

Почти 5500 баллов в Anvil’s Storage Utilities – это очень достойный общий результат, который складывается из хороших показателей как линейных трансферов, так и работы с мелкими блоками. Здесь опять видим 95 000 IOPS для чтения 4K QD16 и 87 500 IOPS на записи.

Crystal Disk Mark 5.2.1 и AS SSD Benchmark с некоторыми особенностями, но в целом подтверждают полученные ранее результаты.

Общие 4996 балла в тесте накопителей из пакета PCMark 8 в целом малоинформативны, а вот пропускная способность в 294 МБ/c куда более показательна. Это один из лучших результатов для SATA-устройств. Напомним, что в данном тесте генерируется нагрузка идентичная той, что возникает при использовании реальных приложений, представленных в итоговом списке.

Чтобы увеличить скорость записи для Samsung 850 EVO используется механизм TurboWrite. Фактически речь идет о классическом SLC-буфере для которого выделяется часть объема накопителя – 6 ГБ в случае с накопителем на 500 ГБ. Для SSD на базе флеш-памяти c TLC такой массив зачастую оказывается очень полезен. Но, здесь случай особый. Несмотря на то, что Samsung 850 EVO также использует память с трехбитными ячейками, изначально повышенную скорость записи позволяет поддерживать трехмерная компоновка 3D V-NAND и производительный двухъядерный процессор Samsung MGX с восьмиканальным доступом к массиву флеш-памяти. В совокупности, на графике последовательной записи в AIDA64 мы видим прямую линию на уровне 500 МБ/c. Характерного для накопителей на базе TLC падения производительности после исчерпания SLC-буфера не происходит.

На копирование трех файлов общим объемом 18,8 ГБ с системного накопителя на Samsung 850 EVO понадобилось 42 секунды, то есть скорость реальной записи на SSD составила порядка 458 МБ/c. Даже после исчерпания SLC-буфера темп записи не снижался.

1000 фотографий объемом 5,24 ГБ залетели на Samsung 850 EVO за 14,2 секунды.

В условиях открытого стенда во время покоя температура накопителя держится на уровне 26–28 градусов. После 15-минутной непрерывной записи во время экспериментов в AIDA64 температура контроллера SSD на пике повысилась до 51С. В целом это приемлемое значение для таких условий использования. При этом корпус устройства оставался едва теплым на ощупь, а на табло бесконтактного термометра отображались 39–40С.

Цена

Samsung 850 EVO MZ-75E500B объемом 500 ГБ предлагается на рынке по цене порядка 4700 грн. ($177). Это точно не самая доступная модель подобной емкости на базе TLC. Более того, накопитель стоит даже несколько дороже некоторых SSD с микросхемами MLC. Однако, по одному лишь типу памяти определять возможности накопителя – слишком наивно и недальновидно. Тем более, когда речь идет не о планарных чипах, а 3D V-NAND. В целом, текущая стоимость выглядит чуть выше той, которую хотелось бы видеть, но, с учетом реальных возможностей накопителя, цена кажется оправданной.

Карточка товара 320781 Лидеры продаж в категорииХитSSD накопитель KINGSTON A400 SA400S37/120G 120Гб2490руб.   2640 руб.ХитSSD накопитель SAMSUNG 860 EVO MZ-76E250BW 250Гб4490руб.ХитSSD накопитель WD Green WDS240G2G0A 240Гб3590руб.ХитSSD накопитель KINGSTON A400 SA400S37/240G 240Гб3890руб.ХитSSD накопитель WD Green WDS120G2G0A 120Гб2490руб.ХитSSD накопитель SAMSUNG 860 EVO MZ-76E500BW 500Гб6590руб.   7120 руб.ХитSSD накопитель CRUCIAL BX500 CT240BX500SSD1 240Гб3490руб.ХитSSD накопитель WD Blue WDS500G2B0A 500Гб6190руб.   6550 руб.ХитSSD накопитель CRUCIAL BX500 CT120BX500SSD1 120Гб2290руб.   2490 руб.ХитSSD накопитель WD Blue WDS250G2B0A 250Гб4490руб.ХитSSD накопитель SAMSUNG 970 EVO Plus MZ-V7S250BW 250Гб6690руб.   7120 руб.ХитSSD накопитель WD Green WDS480G2G0A 480Гб5990руб.ХитSSD накопитель PATRIOT Burst PBU120GS25SSDR 120Гб2390руб.ХитSSD накопитель WD Green WDS240G2G0B 240Гб3590руб.ХитSSD накопитель A-DATA Ultimate SU650 ASU650SS-120GT-R 120Гб2390руб.   2520 руб.ХитSSD накопитель CRUCIAL BX500 CT480BX500SSD1 480Гб5490руб.   5990 руб.ХитSSD накопитель A-DATA Ultimate SU650 ASU650SS-240GT-R 240Гб3490руб.   3740 руб.ХитSSD накопитель KINGSTON A400 SA400S37/480G 480Гб6490руб.SSD накопитель A-DATA Ultimate SU630 ASU630SS-240GQ-R 240Гб3990руб.ХитSSD накопитель WD Green WDS120G2G0B 120Гб2490руб.Тип жесткого диска</th>SSD</td></tr>Объем накопителя</th>250 Гб</td></tr>Форм-фактор</th>2.5″</td></tr>Интерфейс</th>SATA III</td></tr>Максимальная скорость чтения</th>540 Мб/с</td></tr>Максимальная скорость записи</th>520 Мб/с</td></tr>Время наработки на отказ</th>1500000 ч</td></tr>Тип памяти NAND</th>3D TLC</td></tr>Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)</th>97000</td></tr>Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)</th>88000</td></tr>Ресурс TBW</th>75 ТБ</td></tr>Толщина</th>6.8 мм</td></tr>Гарантия</th>60 мес.</td></tr>Страна производитель</th>Китай</td>

Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца.

Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.

Описание SSD накопитель SAMSUNG 850 EVO MZ-75E250BW 250Гб

Высокопроизводительные компьютерные комплектующие могут выглядеть невероятно стильно. Именно таким является накопитель SSD SAMSUNG 850 EVO MZ-75E250BW, выполненный в форм-факторе 2,5 дюйма из черного пластика отличного качества. На корпусе жесткого диска разместился логотип компании серебристого цвета. Подключение и обмен данными с материнской платой осуществляется с помощью SATA III, отличающимся прекрасной производительностью. Накопитель SSD SAMSUNG 850 EVO MZ-75E250BW обладает отличными рабочими качествами. Возможная скорость считывания составляет впечатляющие 540 Мб/м, а записи – 520 Мб/с.Все ваши данные будут записаны невероятно быстро, а откликаться на запрос еще быстрее. 250 Гб доступной вам памяти обязательно хватит для хранения всех серий любимого сериала, семейного фотоархива и рабочих документов. Не нашли нужной информации? Задайте вопрос эксперту Задать вопрос эксперту

Сообщить об ошибке в описанииОтправлено

ksanter7

гарантия, отзывы, тесты соответствуют заявленным ТТХ Sequential Read (Q= 32,T= 1) : 548.605 MB/…

Весь комментарий Только авторизованные пользователи могут добавлять фотографии. Используемые источники:

• https://www.ferra.ru/review/computers/samsung-850-evo-mz-75e500bw-mz-n5n500bw.htm
• https://itc.ua/articles/obzor-tverdotelnogo-nakopitelya-samsung-850-evo-500-gb/
• https://www.citilink.ru/catalog/computers_and_notebooks/hdd/ssd_in/320781/

</tr>